| 信息主題：代理ESD防護元器件
[代理] |
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| 產品名稱：PolyDiode |
| 規 格：無要求 |
| 數 量：無要求 |
| 參 考 價：無要求 |
| 包 裝：無要求 |
| 有 效 期：2007年08月06日 到 2007年08月21日 |
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詳細信息：有關定位器件的組成結構（Clamp device structures），PolyDiode是融合Silicon TVS Diode與Multilayer Varistor等主要材料成分，並添加江博先進公司獨有的無機高分子；藉由創新專利技術，高溫燒制而成具Extra low clamping voltage的多結晶性半導體陶瓷芯片電子保護元器件。
PolyDiode為雙向瞬態突波抑制器，具備low passfilter功能以及擁有數以百萬計為SiO2薄膜所保護之P-N Junctions，故對空氣非常穩定。再者，由於P-N Junctions表面再耦合電流也會減少。因此，即使將之應用在微小信號高速傳輸線路，對免除ESD攻擊和防備EMI等之雙重保護功效，明顯超越Silicon TVS diode與MLV。
Silicon TVS diode是以硅基制成的元器件，擁有傑出的定位電壓（Clamping voltage），和PolyDiode一樣可將瞬態浪湧突波電壓局限於一預求的安全波動位準，然其是藉由蒸鍍法，於結晶體上覆以晶膜薄層，電子價體結構，帶有負電子和帶有正電荷之可移電洞聚集在P-N Junction的相對位置，介於Silicon兩屏板間的電絕緣介體出現，等同於寄生性質（parasitic property）的並聯電容器。因此，為達EMI Filter功能響應與減少接地充電等之目的，必須另外並聯一個或數個高頻旁路電容器（High frequency by pass capacitor）。針對及此，可能不利於微小信號高速傳輸線路的保護應用。
MLV是以ZnO為主所制成的，實施電極電鍍作業時，因ZnO易受電鍍槽浴中酸侵蝕（Etching）或吸收槽浴中存在的H2S使之產生氫脆性（Hydrogen brittleness），故，除供制作電傳導電極之端部者外，環MLV芯片表面皆予塗布玻璃。用以防止前述狀況發生。惟玻璃分子運動已遭凍結，難以生成連續相與均勻相，無法達到百分百預期效果。
MLV和PolyDiode固然同樣擁有數以百萬計的P-N Junction，並為無極性的雙向瞬態突波抑制器。可是，MLV之P-N Junction表面無薄膜保護，顯然易受大氣環境變動影響，穩定性不足，且P-N Junction表面再耦合電流無法減少，以致Clamping Voltage和Breakdown Voltage間的比值高出PolyDiode和Silicon TVS diode許多，難以箝制電路中驟然激增之瞬態前端電壓波尖於一無害的理想波動位準，而隻能應用於低敏感性之電路。
PolyDiode Series 提供客戶夢寐以求兼具Zener、TVS 二極管& 陶瓷Varistor 優點的理想陶瓷半導體保護元件。
並以優於TVS Diode 國際知名大廠如PHILIPS 、ST意法、FAIRCHILD、ON Semi、VISHAY、Littlefuse的電氣效能產品提供客戶。 |
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