中國電子信息產業發展研究院規劃研究所

“十五”期間，在18號文件政策的引導和應用市場的帶動下，我國集成電路產業規模迅速擴大，技術水平不斷提高，產業體系日趨完善，實現了較快發展。

但我國集成電路產業仍存在許多問題和矛盾，與信息產業發展要求仍存在相當差距。“十一五”是我國全面建設小康社會的重要時期，也是信息產業強國戰略的重要起步期，在這種新的形勢下，我們要推動集成電路產業實現又好又快發展。

優先發展集成電路設計業

“十五”期間，國家頒布了《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若幹政策》及《集成電路產業研究與開發專項基金管理暫行辦法》等一系列政策措施，為國內集成電路產業發展營造了良好的環境，有力地促進了集成電路產業的發展，我國集成電路設計業得到長足進步。

“十一五”期間我們仍將堅持以集成電路設計業為龍頭，繼續加大支持力度，完善相關產業政策、法規的制定和落實，加快出台《進一步促進軟件產業和集成電路產業的若幹政策》，力爭出台軟件與集成電路產業促進條例，為集成電路設計業的發展提供良好的政策氛圍。

“十一五”期間要大力推進集成電路設計企業和整機應用廠商之間的合作，推動新技術的廣泛應用，以應用促發展。加快建設企業為主體、社會各界參與的集成電路共性技術研發和公共服務平台，促進企業間聯合開發。充分發揮行業協會的橋樑紐帶作用，鼓勵企業成立各類技術合作機構，共同推進新技術研發和標準的制定。

重視專利和標準作用，努力提升專利數量和質量，研發一批擁有自主知識產權的核心關鍵技術。將涉及國家經濟和國防安全等重要領域的核心關鍵技術開發納入到國家總體發展規劃。加快啟動國家科技和產業化重大專項，實現重點突破。

堅持市場導向、企業運作、政府引導的原則，集中力量培育有核心競爭力的骨幹企業。積極支持企業根據自身發展的要求，以市場為導向，以資本為紐帶，進行跨行業、跨部門、跨地區、跨所有制的收購、兼並、重組，形成一批擁有著名品牌和自主知識產權、主業突出、核心技術開發水平較高、市場競爭力強的優勢企業。

積極發展集成電路制造業

我國要想提高集成電路產業控制力，需要從產業模式上取得突破，積極發展集成器件制造模式，從制造入手，進而向產業鏈兩端延伸，形成完整的集成電路制造體系。

目前我國集成電路芯片制造業缺乏成熟的工藝制造技術。“十一五”期間，我們要積極開發90nm、60nm乃至45nm的高速、低功耗芯片和新型硅基集成電路的制造工藝技術，研究新型的光刻及離子注入技術，縮小技術差距。鼓勵12英寸高水平生產線建設；推動現有生產線的技術升級，支持“909”工程升級改造，增強產業控制力。

在“十一五”期間，要努力把握未來國內外超大規模集成電路的發展趨勢，掌握標準工藝IP核的國內外市場需求，加大對處理器、存儲器等關鍵IP核的開發，為我國超大規模集成電路IP核系列的開發探索有效途徑；啟動軟/硬件協同設計、IP復用和與SoC相關的新工藝、新器件及可靠性領域中若幹關鍵技術的預研；推動國家IP庫的建立，並做好後續的維護升級及專利保護工作。

提升封裝測試能力

大力發展BGA、CSP、MCP、MCM、MEMS等高密度封裝技術勢在必行，要著力提升我國封裝業的研發和產業化水平。

“十一五”期間，要加大研發和產業化投入，提高和完善開發環境和手段，加快新型封裝材料的發展，逐步改變目前基本依賴進口的局面。

高密度集成電路封裝對測試技術提出了更加嚴格的要求。測試技術更多地固化在測試儀器內。“十一五”期間要重點推進新型測試設備的研發，不斷提高測試效率和精度。

增強關鍵設備和材料開發能力

重點開發12英寸硅拋光片和8英寸、12英寸硅外延片，鍺硅外延片，SOI材料，寬禁帶化合物半導體材料，新型互連材料等材料；努力掌握6-8英寸集成電路設備的制造技術；力爭實現12英寸65納米激光步進光刻機、大角度傾斜大劑量離子注入機、金屬氧化物化學氣相沉積設備，高密度等離子體刻蝕機、大尺寸擴散爐等重大關鍵裝備的產業化；加強企業和研發中心之間的合作。

在6-8英寸用光刻機、刻蝕機、離子注入機、立式擴散爐、快速熱處理設備，氧化擴散設備、化學腐蝕設備、硅片清洗設備、劃片機、鍵合機、集成電路自動封裝系統等設備實用化的基礎上，提供批量供應。對用量較大的光刻膠、清洗、刻蝕試劑化學拋光液等，力爭在“十一五”期間實現產業化。

“十一五”期間，建立完善的集成電路產業鏈是產業持續健康發展的核心任務。全行業要以芯片設計為突破口，並以芯片制造作為重點，以關鍵設備和材料為基礎，積極發展集成電路封裝業，推進集成電路產業鏈各環節協調發展，盡快建立起植根於國內、具有核心競爭能力的產業體系。