台積電董事長張忠謀11日表示，台積電預計斥資50億美元興建研發晶圓廠，專門32nm、22nm、15nm半導體工藝技術的研發。目前台積電主力12英寸晶圓廠Fab12主要投入90、65及45納米3個世代工藝技術，規劃興建新的研發晶圓廠，可說是揭開另一個全新半導體技術時代來臨。



台積電次世代工藝技術確定落腳竹科，而聯電則在南科耗資約15億美元打造研發中心，並以金額與台積電相當的50億美元興建第2座12英寸廠12B。以2008年台積電、聯電資本支出各約18億、5~7億美元來看，要蓋1座12英寸廠並非易事，同時這也代表未來跨進先進工藝投資，口袋得更深些，投資研發絕不能手軟。

無獨有偶地，中芯國際在中國內地投資12英寸廠亦有新動作，位於武漢的新芯第1期工程順利封頂後，近日也移入前段黃光工藝所需微顯影設備。中芯國際執行長張汝京曾表示，未來新芯將以生產4大產品為主，包括NOR型快閃存儲器(Flash)、NAND Flash、嵌入式存儲器(MCP)與OTP(One-Time Programmable)，年中初期試產目標3,000片，年底則達6,000~8,000片。

事實上，竹科半導體產業長期面臨用地嚴重不足問題，竹科管理局自2005年開始協助尋找用地，經過長達4年征收，終於讓半導體廠得以繼續在竹科興建下世代晶圓廠，此次建廠用地落腳在竹科園區三五路，總面積達31公頃，提供台積電、力晶和世界先進3家半導體業者使用，初期將投資新台幣4,500億（約人民幣1,000億）元興建新廠，其中，台積電預計投入50億美元，力晶估計約新台幣2,500億元，世界先進亦將在此興建1座晶圓廠，待3家半導體業者廠房完工後，年產值將達新台幣3,000億元。