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Vishay新系列半橋600V及1200V IGBT模塊出爐
http://www.cnele.com  更新時間:2008年04月09日  來源:電子工程專輯
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日前推出的這八款新器件採用可滿足各種應用需求的三種不同 IGBT 技術。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF採用標準穿通 (PT) IGBT 技術,而GA200TS60UPbF, GA75TS120UPbF, 及GA100TS120UPbF器件採用可實現更緊參數分布及高效率的第 4 代技術。GB100TS60NPbF,GB150TS60NPbF及GB200TS60NPbF模塊採用第 5 代非穿通 (NPT) 技術,可實現 10μs 短路功能的額外優勢。

該GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF 是專為高達 1kHz 硬開關工作頻率而優化的標準速度器件。其他六個 IGBT 是與用於橋配置的 HEXFRED超軟恢復反並聯二極管共同封裝的超快速模塊。這些超快速器件可在硬開關中實現 8kHz∼60kHz 的高工作頻率,在共振模式下可實現 200kHz 以上的工作頻率。

Vishay 新型 IGBT 系列具有 75A∼200A 的高額定電流及低功耗,該系列器件專為高頻工業焊接、UPS、SMPS、太陽能轉換器及電動機驅動應用中的隔離與非隔離轉換器、開關、逆變器及斬波器而進行了優化。對於輸出逆變器 TIG 焊機應用,這些 IGBT在額定電流時提供了當前市場上“S”系列模塊中最低的 Vce(on) .

這些新型 IGBT 無鉛 (Pb),並且可輕鬆地直接安裝到散熱片上。這些器件具有低 EMI,可減少緩沖,並可提供超低的結到外殼熱阻。

Vishay推出新系列半橋600V及1200V IGBT模塊

  
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