公司(ISi)是一家“浮体”存储器的创新型公司，近日宣布推出一种能够把1到0的容限及数据保留时间指标提高10倍的技术。在2005年12月，AMD公司取得了ISi的前一代Z-RAM的授权，目前已获得了第二代该技术的授权。
浮体RAM是一种与绝缘体上硅(SOI)处理相结合应用的技术。它取消了用于常规大芯片中DRAM位元内的电容。在大的CMOS器件中，形成晶体管体的电荷受固定电压约束。在SOI中，不受约束的体正“浮”在厚厚的氧化层上方的硅中。要使浮体的行为与电容器类似，就要在该浮体的两侧施加经过特别控制的电压。
对那些从用于高性能处理器的SOI晶圆起家的公司，如AMD、IBM或飞思卡尔,
浮体RAM(FB-RAM)方案有几点优势:
快速的读写时间，比嵌入式DRAM的单位体积更小，而且大小只有6晶体管SRAM的1/5左右。ISi的首席科学家Serguei
Okhonin拒绝就该公司如何改进其浮体技术做出解释，只说这种存储器工作在“不同的模式”下。
性能的改进有望为Z-RAM开辟更广范围的应用。第二代版本有望升级得更好并能够在65纳米工艺上实现每平方毫米5Mb的密度，而在45纳米的存储密度则大于每平方毫米10Mb。当性能最优化后，在阵列中该存储器能达到400MHz的时钟频率；当功耗得到最优化后，功耗可以被降低至10微瓦/兆赫。
Z-RAM二代技术已投入生产并被证实完全是一种90纳米的存储器，此外，它正以65纳米和45纳米工艺节点在若干工厂测试芯片。该公司也在更小的几何尺寸及多门栅/FinFET器件上展示了每个位元的操作。可以预见，升级到亚45纳米工艺技术没有问题。
AMD负责技术开发的公司副总裁Craig
Sander在由ISi发布的一份声明中表示：“密度、功耗及性能的结合，加之具有与我们的标准制造工艺兼容的技术，将使之成为我们未来微处理器应用中极具吸引力的方案。”
