德州仪器(TI)和非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布：在FRAM技术发展中的创新里程碑，针对FRAM存储器达成了商用制造协议。该协议许可Ramtron的FRAM存储器产品在TI的130纳米(nm)FRAM制造工艺中生产包括Ramtron 的4Mb FRAM存储器。Ramtron和德州仪器自2001年8月开始合作，当时双方签订定了FRAM的许可授权和开发协议。

Ramtron首席执行长Bill Staunton表示：“这项制造协议标志着高密度FRAM产品的商业化发展向前迈进了一大步。Ramtron将从德州仪器公认及先进的130nm工艺技术和先进的制造能力，和高密度的独立FRAM存储器中获益。除了4Mb器件外，在2007年内，我们还计划使用德州仪器的产品线中提供至少一种以上的产品样品。”

德州仪器FRAM开发总监Ted Moise指出：“与Ramtron的协作及在德州仪器130nm工艺上FRAM技术的商业化发展，为高密度FRAM器件的生产奠下了新的标准。通过在标准的130nm制造工艺中直接增加制造项目，我们可以达到成本、功耗及性能方面的特性，而这些特性对于其它嵌入式非易失性存储器技术来说却很难实现。”

德州仪器的FRAM工艺

为了创建嵌入式FRAM模块，德州仪器在其标准的130nm铜互连工艺中添加了仅仅两个额外的掩模步骤。通过转向130nm工艺，两家公司将使用目前最小的商用FRAM单元，提供Ramtron的4Mb FRAM存储器，并且获得较SRAM单元更高的存储密度。为了实现这种单元尺寸，该工艺使用了创新的 COP(capacitor-over-plug)工艺，将非易失性电容直接堆放在W型插入晶体管触点之上。

FRAM存储器将易失性DRAM的快速存取和低功耗特点与不需要电能保存数据的能力结合起来。EEPROM和闪存等其它非易失性存储器由于必需以多个掩模步骤、更长的写入时间及更多的功耗来写入数据，因此对于嵌入式应用不太合适。此外，FRAM的小单元尺寸和增加最少的掩模步骤特点，使到面向嵌入式应用的FRAM可以低于SRAM的成本生产。FRAM所消耗的功率亦较MRAM低很多，并且已在要求严格的汽车、测量、工业及计算等应用中实现商业化应用。

Moise称：“FRAM具有快速存取、低功耗、小单元尺寸，以及实惠的制造成本等特点，这意味着它适于广泛的应用。对于那些需要低功耗、非易失性存储、关机前快速数据保护，以及无限写入耐久性等的系统而言，将可从 FRAM 的功能中获益良多。”

FRAM的工作原理

FRAM技术的核心是将微小的铁电晶体集成进电容内，使到FRAM产品能够象快速的非易失性RAM那样工作。通过施加电场，铁电晶体的电极化在两个稳定状态之间变换。内部电路将这种电极化的方向感知为高或低的逻辑状态。每个方向都是稳定的，即使在电场撤除后仍然保持不变，因此能将数据保存在存储器中而无需定期更新。

德州仪器利用COP方式制作了平面型FRAM单元，将单元的面积降至最小，并且利用铱电极和锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜层来形成铁电电容。