IBM的科学家透露了一种能够达到6GHz以上速度的原型嵌入式SRAM芯片组。嵌入式SRAM保存由处理器频繁访问的数据。访问的速度越快，从SRAM到CPU的数据交换就越快。
IBM在T. J. Watson研究中心的研究员Rajiv V.
Joshi表示，“随着工艺技术降低电子尺寸以实现更高的密度并遵循摩尔定律，制造电子器件的工艺存在的可变性使这个任务越来越难以实现。”
研究人员一直在寻找克服工艺可变性影响的途径，特别是当一个器件被放置在海量器件之中时，器件的接通特性存在各种变化。那些变化能使存储丢失已存储的数据，使它们表现为“不稳定”。
为了改善SRAM单元的稳定性，研究人员已经提出了各种不同的技术，如基于读或写操作的动态或双单元电源，或把更多的晶体管添加到6晶体管SRAM单元之中。
IBM的研究人员论证了一种用于消除“半选”问题的、新颖的基于硬件的解决方案，改进了Vmin并利用8T
SRAM阵列提高了针对多端口应用的性能。
当字线接通且行选关闭时，半选问题就会出现，从而导致稳定性变差。新颖的“写-字节”概念生成多条本地的写字线，这些写字线只有当已选模块的写控制接通时才被选中，从而避免半选扰乱情形。因此，独立的读口消除读期间的半选，并且写字节消除写期间的半选。
片上边沿捕获电路第一次被用于测量片内信号参数，如字线脉冲宽度，以及校准SRAM单元的性能。
片上脉冲特征提取技术显示，可以测出数量级为50到60
ps宽的微小脉冲，从而精确地确定SRAM单元运行的速度有多快。这种芯片以65nm绝缘体上硅(SOI)工艺制造。
