半导体制造商ROHM株式会社最近开发出一种适合车载环境下使用的EEPROM “BR25HXX0系列”(非易失存储器)，这种新产品采用世界首创的双单元结构，可以在125℃条件下稳定工作，与SPI BUS兼容。ROHM倡导用双单元结构来实现高可靠性，整个EEPROM产品系列都采用这种新结构。

而且，这次开发出的样品可以在125℃下稳定工作；静电耐压也达到业界顶级的6kV；在严酷环境下的车载ECU内读出初始数据和写入状态信息都表现出高的可靠性。新的产品系列中根据存储器容量和封装形式的不同共有12款不同型号的产品。

“BR25HXX0系列”的主要优点

1) 采用双单元结构，可以保证数据的可靠性读写。　　　　

2) 工作温度范围宽：-40 ~ +125℃

3) 耐受静电电压高：HBM 6kV( typ.)　　　　　　　　　　　　　　

4) 采用金焊接点和金引线使连接的可靠性更高　　

5) 内置有基于双复位的电源监视功能　　　　　　　　　　

6) 内置有可高速写入的页写模式

7) ROHM EEPROM支持SPI BUS，容易替换

8) 采用SOP8和SOP-J8封装(SOP8 : 6.2mm x 5.0mm x 1.71mm , SOP-J8 : 6.0mm x 4.9mm x 1.75mm )

近来，车辆的电子设备发展很快，有时会用到数十个ECU在车上各部位起电子控制作用。但是，在车载环境下因发动机启动时产生的电涌、静电、震动、热等等因素，有可能使电子元器件损坏，而且这种危险出现的概率相对较大。所以，在车载环境下用的电子元器件要有高的可靠性。

ROHM这次开发成功的BR25HXX0系列，样品试验得出的结果是：可以在125℃下稳定工作；静电耐压也达到业界最高的6kV (HBM)。之所以有这些优良的性能，除了其中采用了已经在民用产品中获得好评的双单元结构、金焊接点与金引线连接之外，对电路和工艺过程都做了高冗余度设计，还安排有严格的筛选和调试过程。另外，除了保证在85℃下擦写数据可达100万次之外，还实现了保证在125℃下擦写数据可达30万次，这属业界首创。　

这种新产品从今年2月开始供应样品(样品价格：200日元)，预定从2007年9月开始以月产200万个的规模开始批量生产。生产过程的前一段工序在ROHM APOLLO DEVISE株式会社(福冈县) 进行；后一段工序在ROHM ELECTRONICS PHILIPPINES, INC.(菲律宾)完成。