现货市场DDR2价格方面持续走弱；而DDR则因供应不足价格缓步盘坚。DDR2 512Mb eTT跌至1美元左右的新低价之后，暂时止跌并微幅反弹，在1.02至1.05美元震荡，以1.03美元做收，跌幅为5.5%；DDR2 512Mb 667MHz则滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市场方面，由于现货市场供给数量仍旧不足，上周也曾出现缺货状况，价格持续小幅上扬，DDR 512Mb 400MHz以2.66美元做收，上涨5.6%。

十月份合约市场相当清淡，OEM拿货意愿低落，部分厂商甚至认为，倘若预期十一月DRAM价格没有反弹行情，下旬就没有太大的拿货意愿。十月截至目前为止，部分OEM甚至完全没有任何采购DRAM的动作，整体市况较九月上、下旬都还要冷清。


需求不振、供给过剩，近期市场依然疲弱


根据集邦科技(DRAMeXchange)最新观察报告指出，纵使中国市场结束十一长假，市场参与者皆已回笼，然而现货市场成交量并无显著的放大。整体而言，十月需求在今年并未出现，加上目前大模块厂应备的库存水位已足够，小模块厂则是抱着“货好卖才买”的心态，使得现货市场缓冲区机制消失，价格变得更为敏感。纵使量缩价格敏感，近期DDR2 512Mb eTT价格在跌至1美元附近后的反弹力道并不强，可见市场卖压仍沉重。当今不论在现货市场或合约市场，DDR2交投都相当冷清，买方意愿薄弱，近期就算有任何的利多，也未对市场产生太大的加温迹象。


十月上旬NAND Flash合约价下跌0-10%；短期内可望相对持稳


十月上旬NAND Flash合约价平均跌幅在0-10%左右，其中MLC颗粒跌幅较大，主要是反应供货商新制程所开出的MLC产出量将在今年第四季有明显增加；至于低容量的SLC颗粒，则因为供给量逐渐减少的关系，价格呈现止稳小涨的情况。自九月以来NAND Flash价格已经大幅向下修正过，然而下游客户以降价来刺激买气，反应NAND Flash成本下降的动作，通常会比较延滞一段时间。市场预期来自降价效应的买气将在十月下旬至十一月才会逐渐浮现，因此集邦科技(DRAMeXchange)预期在短期内NAND Flash合约价格有机会相对持稳。