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海力士预计明年DRAM出货量将增长50-60%
http://www.cnele.com  更新时间:2007年10月25日  来源:中国电子行业门户网
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韩国海力士半导体近日表示,预计2008年动态随机存取存储器(DRAM)芯片出货量将增长50-60%。


        海力士预估,2008年NAND快闪存储器出货量将较今年激增110-120%。同时,该公司预计第四季度NAND快闪存储器价格将温和下跌。


        该公司同时指出,2008年计划投资约4万亿韩元,略低于2007年4.4万亿的资本支出。
  
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