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可提升半导体研发速度与投资报酬率的创新平台问世
http://www.cnele.com  更新时间:2007年10月26日  来源:电子工程专辑
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有鉴于半导体工艺研发的风险与成本日益升高,新创公司Intermolecular发表了一套完全自动化的组合式研发平台,通过整合了相关设备系统与软件程序,该公司表示,此IC产业首创的专属研发架构,将能够大幅提升半导体的研发速度与投资报酬率。

Intermolecular公司总裁暨执行长David Lazovsky引述VLSI Research的数据指出,半导体业者的研发成本不断增加,但营收却没有相对的成长。根据统计,2006年半导体产业的研发成本已达到450亿美元,预计到2012年将高达1000亿美元。他说,“这样的状况是不可能长久持续的。除非大家能够找出更有效率的研发方式,否则可以想见,半导体产业的创新脚步,势必会因为高昂的研发成本而日渐蹒跚。”

Lazovsky表示,随着半导体组件尺寸缩小至22nm以下,材料及组件的整合技术研发将成为提升IC效能的主要成长动力。此外,也由于IC功能的提升与复杂度增加,对于3D IC/先进封装技术、材料的需求也日益增高,而这些都需要在开发阶段进行无数次的实验与验证才有可能得到最终可实际生产的结果。

他强调,“从90nm世代开始,由于尺寸微缩而带来的效能提升已经逐渐低于技术创新,此现象将越来越明显。因此,新材料已经成为提升IC效能的新驱动力量。然而,我们传统的研究方法却没有办法因应这样的趋势改变。”

像能源、医药、生技等产业都是以新材料带动创新的产业,也因此,Intermolecular借镜了这些产业已广泛应用的研发方式与技术,推出Tempus HPC (High-Productivity Combinatorial)平台,这是一个整合材料研究、工艺开发,以及产品验证的单一整合流程,以取代现行各种研发过程各自独立的低效率模式。

目前Tempus HPC平台包括适用于自我组装(self-assembly)、表面处理、清洗工艺和化学镀的流体应用产品线(Fluids Line),以及适用于数据非易失性内存、高k电值(high-k)与金属栅极、以及先进导线连接等应用的物理气相沉积产品线(Physical Vapor Deposition Line) 。

“工艺同步处理、特性校准、信息处理是HPC平台技术的三大支柱”, Lazovsky解释说。配合其Tempus F20/30设备,可以在单一晶圆上同时进行高达数十种的工艺实验,与目前只能在单一晶圆上进行一种工艺测试的方式相比,不但生产力可大幅提升,也显著地节省了使用的12吋晶圆数量。而其信息处理架构,则是通过资料仓储技术,能够将各项试验的数据自动进行整合、执行与分析,大幅减轻了整理与分析实验数据数据的时间与负担。

Lazovsky表示,目前已有多家客户利用此套平台进行技术开发,其研发主题包括无后清洗工艺的low-k介电层整合、32nm铜导线纳米层、后段晶圆清洗、非易失性内存研发、金属栅极工作流程的初步筛选等。

他强调,不只是晶圆制造、材料或封测业者,能够受惠于此套整合式的研发平台,甚至,包括无晶圆IC设计业者,为了取得更佳的产品设计差异性与更快的上市时程,此一研发方法也同样适用。目前就有一间知名的非易失性内存设计业者与Intermolecular合作,通过HPC平台技术,进行内存晶元的特性校准与薄膜材料电性筛选。“他们在约7个月的时间内,完成将近12000次的特性校准实验与数据分析,这在过去是不可能达成的任务。”

勾淑婉

  
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