上个月，Spansion的SP1工厂开始采用MirroBit技术在300mm晶圆上生产65nm产品。SP1是该公司第一个300mm工厂，据称投资了12亿美金，坐落在该公司位于会津若松市JV3工厂的旁边。在新闻发布会期间，记者来到了这个自动化程度非常高的工厂，参观了该工厂65nm晶圆的整个生产过程。

Spansion总裁兼CEO Bertrand Cambou先生透露，这个300mm晶圆厂在设计之初就考虑了45nm产品的生产，公司计划在2008年末开始生产45nm产品。而且目前，32nm的器件已在研发当中，在未来，该工厂还将生产出22nm的产品。

300mm晶圆厂投入使用后，Spansion似乎比竞争对手要领先一步，包括英特尔和ST半导体所合资的一个新公司，市场研究公司Objective Analysis的首席分析师Jim Handy指出。借助SP1工厂，Spansion能够减少生产成本，MirrorBit比浮动门便宜，而且300mm晶圆比200mm的成本会更低，Handy解释道。

MirrorBit是Spansion的闪存专利技术，据Cambou声称，比起传统的常规多层单元(MLC)以及单层单元(SLC)浮动门技术，MirrorBit在成本、可靠性和制造上具有绝对优势，并有望进入25nm以下节点。而浮动栅技术在40nm以下则面临极大的挑战。

由于手机性能的增加，手机设计人员不但要降低手机成本，还要为手机增加更多的多媒体功能，更多的功能对容量大于1GB的闪存需求越来越大。MirrorBit Eclipse架构在同一颗裸片上整合了MirrorBit NOR、 ORNAND和Quad技术，可使手机制造商将手机存储系统的材料成本节省30%以上。“我们预计明年整个市场对Eclips的需求会增加，”Cambou称，“我们从今年第四季度开始量产Eclipse，主要针对功能手机市场。Eclipse将在SP1工厂中占据重要地位。”

产能与代工合作

JV3工厂目前是Spansion公司110nm MirrorBit器件的主要生产地，Spansion日本总裁、执行副总裁兼首席科学家Masao Taguchi博士指出，拥有14年制造经验的JV3工厂必将会对SP1的运行提供有力的支持。

投入12亿美元兴建的SP1目前只完成了第一阶段的工程，第一阶段的月产能为1.5-2万片300mm晶圆，第二阶段工程将会在明年投产，到时将会采用45nm的工艺，月产能将提升到3万-4万片300mm晶圆。“2009年，我们还将JV3这个200mm晶圆厂升级为300mm，到时总体月产能将可达7万片。”Cambou透露。

众所周知，更深节点制造技术的开发成本越来越高，面对这个现实，很多大型的半导体公司已经开始采取了“轻工厂”的策略。为了克服开发成本难题，Spansion与台积电(TSMC)进行了合作：对于更新的技术，比如45nm闪存工艺，双方的合作可以充分利用台积电的制造经验，从而压缩研发成本；对于已经成熟的技术，则由台积电代工，比如现在是90nm，而当明年推出45nm时，台积电则代工65nm产品。

所以，目前Spansion的90nm及110nm于台积电投产，65纳米工艺预计在2008年末开始由台积电量产。但Cambou透露，Spansion短期内还会增加新合作伙伴。

低成本的同时关注环保

采用MirroBit技术所获得的存储容量比传统浮动门NOR技术的高，而且更容易扩展到更高容量。与浮动门NOR技术相比，MirroBit技术具有更简单的存储单元，减少了所需的关键制造步骤，因此MirroBIt技术的生产成本更低。

SP1工厂从动工建造到产出第1片晶圆仅花不到9个月时间，而与此同时在环保上也不遗余力。Taguchi博士透露，为了防止电压的突然下降，JV3厂配备了利用液化气发电的设备，而在SP1厂，则采取了NaS大型蓄电池，与JV3工厂相比，CO2的年排放量减少了57,000吨。另外，SP1在无尘室的设计上也更加简化且高效节能。

图题: Cambou表示，MirroBit技术未来有望进入22nm节点。

赵娟