最近有一家组织发布了一本有关芯片级静电放电(ESD)目标级别的新白皮书，这份白皮书很有可能会造成争议。
二十多年以来，芯片制造商开发了带有片上ESD保护电路的数字化IC，这些电路支持人体模式(HBM)的2000-V等级和机器模式的(MM)的200V等级。ESD目标等级行业委员会正在推动行业将HBM级降低到1000V，将MM模式降低到30V。这份白皮书名为《降低元件级HBM/MM
ESD规范和要求的一个案例》，目前已经面向公众发布。
该组织成立于去年，包含了16个主要成员：模拟器件、AMD、飞思卡尔、富士通、IBM、英飞凌、英特尔、LSI、松下、NXP、Oki、瑞萨、三星、Sarnoff、德州仪器和TSMC。
该委员会成员Charvaka Duvvury和Harald
Gossner表示：“如今OEM所要求的更好的静电控制方法并不能作为本文数据所展示的更高HBM/MM级别正名的证据。”Gossner是英飞凌ESD设计高级主管兼ESD目标等级行业委员会联席主席，而Duvvury则是德州仪器旗下硅技术部门专家兼该部门联合总裁。
这两位专家表示：“ESD等级的过度设计正越来越限制硅领域及性能，并常常导致产品创新的延误。基于更佳的静电控制技术、现场失败率、案例研究和来自IC供应商和合同制造商的ESD设计数据，我们提出将HBM/MM
ESD目标等级降到一个更实际但仍然安全的水平。”
据该委员会成员称：“本文的目的在于向半导体公司及其客户提供有关质量组织的信息，以使之评估安全ESD等级要求并作出决定。”他们表示：“通过这篇文章，我们展示了为何现实地降低元件级ESD的ESD目标等级不仅必需而且刻不容缓。本文规定的所有元件级ESD测试都遵循相关JEDEC和ANSI/ESDA规范中限定的方法。”
但并不是所有人都意见一致。在被问道他们对此事的看法时，有些成员的态度来了个180度的大转弯，尤其是Sarnoff旗下的Sarnoff
Europe。
NEC电子最近开发出了一种面向45纳米节点的新型静电放电(ESD)技术。NEC表示：“由于采用65纳米及以下节点的器件外形日益缩小，电路级上的电压和电流允差变得更小。但更小的外形需要和更大外形一样的ESD保护等级。”
业内某专家表示：“应该是由客户来决定他们的ESD要求，而不是某个行业组织。”
