在日本召开的开发者会议上，Rambus公司将展示可以使到内存芯片的传输速度达到每秒千兆字节的技术。该公司相信，它的信号传输技术将可以替代3D芯片堆叠，而且成本较低。
长期以来，微处理器与外部DRAM之间的延迟一直是制约系统性能的瓶颈。在Rambus负责工程的资深副总裁Kevin
Donnelly表示：“由于多核处理器的每个内核运行多个线程，目前内存带宽需求在急剧增长。”为了解决上述问题，Rambus将展示多内存通道，每个通道的速度是16Gbits/s，速度大约是目前正在开发的单个通道的四倍。预计在东京的开发者会议上，Rambus将展示一款65纳米控制器，连接到两个65纳米RAM器件，每个内存芯片的合计吞吐能力高达32Gbytes/s。
Rambus将通过把三种信号技术应用在相对传统的分立器件上面，来达到上述吞吐能力。上述控制器采用倒晶封装，而RAM采用引线键合封装。
“我们的目的是展示几年后就可以实际制造的东西，”Rambus的技术主管Steve
Woo表示，“2010或者2011年出现(对每秒千兆字节内存芯片的)需求，并非不切实际。”
“人们想利用通孔技术和芯片堆叠来解决这些问题，但这些方法存在热问题和其它问题，”Donnelly表示，“如果能够使用分立元件，而不是通过相对奇特的技术就能达到这么高的信号传输速度，肯定在成本方面具有优势。”
今年三月，IBM宣布将生产一款功率放大器，最多采用100个通孔电极连接到一个电源接地层。IBM声称，这是迈向3D堆叠技术的第一步，还将把它用于BlueGene/L超级电脑，连接Power处理器和高速缓存SRAM，从而大大提高CPU与存储器之间的数据传输速度。
有12家以上的公司和研究组在研究穿透硅通孔（through-silicon
via，TSV）和相关技术，其中包括尔必达、IMEC、三星和Sematech，以及初创公司Cubic
Wafer、Tezzaron、Ziptronix和ZyCube。但分析师表示，该技术仍然不太成熟，而且面临诸多问题，包括如何为堆叠降温。
IBM的系统与技术首席科学家Bernie
Meyerson在接受采访时为该技术进行了辩护，称它在可制造性与开创系统设计新方式方面具有潜力。
Rambus在东京展示其技术时，不会对任何采用Rambus上述技术的产品计划发表评论。
Donnelly表示：“我们目前没有寻找合作伙伴。我的工作是开发新技术，我们目前处于为这种技术评估新硅片的早期阶段。”
