IPS科技公司模拟业务部 Chipidea宣布其 USB 高速物理层（PHY）IP
已获得特许半导体（Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd）65nm
和 90nm工艺技术认证。Chipidea 的 USB 2.0 OTG 物理层内核符合 USB 2.0
标准并获得了独立认证权威 USB 实施者论坛（USB-IF）的认证，是业界 USB
高速物理层 IP
最丰富产品组合的一部分，经过了硅验证并获得了特许半导体客户就绪代工厂解决方案
0.18um、0.13um、90nm 及 65nm 认证。
Chipidea 的 USB IP 有助于加快用户设计的 USB 和 USB OTG
Supplement
进入便携式计算设备的上市时间，如手持设备、移动电话、海量存储设备及数码相机。这些设备的市场正在迅速发展。市场研究机构
In-Stat 的报告显示，2006 年全球 USB 设备的出货量超过了 20
亿台，该机构预测到 2011 年，年出货量将增长 12.3%。
特许半导体平台联盟部高级总监 Walter Ng
表示：“我们正在与几个客户合作，这些客户都把 Chipidea 的USB
解决方案集成到他们的高速互连产品，这反映了对 Chipidea IP
的市场需求和客户信任度。Chipidea 在及时供货及其 IP
解决方案一次通过投片成功方面有着骄人的纪录。公司的 USB
高速物理层产品满足了我们为特许半导体客户提供的标称 65nm 和 90nm
低功耗公共平台技术工艺严格的 IP 质量基准。”
Chipidea 物理解决方案部总监 Celio Albuquerque 表示：“USB-IF
在特许半导体的 65nm 和
90nm工艺的物理层认证建立在我们成为市场上第一个在今天各个最先进技术节点提供硅验证
IP的基础之上。客户可以利用我们的 USB IP
解决方案，包括物理层器件和控制器，以最低的成本和最快的集成时间推向市场。”
Chipidea 的 CI12323cn（USB 2.0 OTG PHY）是作为 65 nm
标称工艺的特许半导体公共平台解决方案的一部分获得硅验证的。CI12343cm
（USB 2.0 OTG PHY）也同样获得了
90nm低功耗工艺下的硅验证。该内核可以在多种工艺规格下使用。
