NEC日前宣称，已开发出世界上速度最快的MRAM。NEC的新技术“兼容SRAM，MRAM”可以在250-MHz的频率下工作。这种MRAM的存储容量达到1Mb.该存储单元融合了两个晶体管，一个磁性隧道结，还有新的电路方案，这种新设计实现了MRAM在250-MHz的频率下工作。这种MRAM速度是市场上现有的MRAM速度的两倍，据NEC介绍说。测试使用了内部信号监控电路证明了从250-MHz的时钟脉冲边沿数据输出只需要3.7纳秒。

NEC从2000年起就开始积极地推进MRAM技术的研究。MRAM是下一代存储技术中的一种，它实现了快的工作速度，非易失性和无限制写的耐久特性。

确认其具有SRAM速度级别，证明了新开发的MRAM在将来可以嵌入到系统的LSI中，作为SRAM的替代品。