IEDM群英荟萃 台积电32奈米测试芯片异彩纷呈 　

据境外媒体报道，11日位在美国华盛顿特区举办的国际电子元件大会(IEDM)中群雄芸集，几大半导体巨头纷纷发表演讲，展现新技术实力。IEDM与ISSCC、VLSI是3个国际级半导体元件年度技术论文的发表大会，每年几乎各知名学术机构、半导体业者皆以其最新、最先进半导体设计与技术参与发表论文，从中也可一窥未来半导体产业先端技术、市场发展端倪。

此次IEDM中，台积电高度参与，宣布其第1颗32奈米制程测试芯片已正式通过内部功能验证，未来将可同时支持单芯片中数码、类比电路。外界预料，以台积电每2年发展1个制程世代的进程估算，32奈米制程芯片已具雏形，最快可在2009年实现量产。

台湾媒体表示，除了台积电高度参与，董事长张忠谋亲身赴会演讲，国际级半导体大厂包括英特尔(Intel)、IBM及三星电子(Samsung Electronics)也不惶多让，也藉由IEDM展现其技术实力。英特尔方面，主要是着重于其45奈米及32奈米制程高温下采用高介电系数材料及金属闸极技术发表、及关于相变化存储器和快闪存储器技术；IBM则着重45奈米与65奈米绝缘层上覆矽(SOI)超低漏电制程；韩国三星则发表关于40奈米存储器制程与先进半导体材料技术。