NAND Flash阵地风云突变 海力士48奈米后来居上

据境外媒体报道，NAND型快闪存储器(Flash)大厂海力士已确定48奈米制程在2008年第1季开始量产，其进度之快，似有与东芝(Toshiba)、三星电子(Samsung Electronics)一较高低的气势，展现了其2008年大干一场的决心。

事实上，海力士2007年投入大量研发资源在57奈米制程技术，可是其制程仍然只是处于被打局面，竟争对手已转进下代量产，于是量产还不到一季就提前下台，现在48奈米制程提前接棒，对海力士而言，只有加速48奈米制程技术量产，才可扳回失去的市占率。

不过也有部分NAND Flash业者分析，海力士想后来者居上超过三星与东芝有点不大可能；但也有业者分析，如果海力士48奈米制程将于2008年第1季便进入量产，这对于东芝与三星来说，确实将会对2大龙头厂构成重重一击。

是否成为第1家进入40奈米制程世代量产的NAND Flash业者，业者对海力士正持观望态度。